История изобретения туннельного диода началась еще в двадцатых годах прошлого столетия. Сначала в России Олегом Лосевым был обнаружен кристадинный эффект, который присутствовал в диодах, выполненных на основе кристаллического цинка. Первый туннельный диод был изготовлен в 1957 году на основе германия. В чем преимущество туннельного диода.

Диодом называется примитивный полупроводник, способный пропускать напряжение в одностороннем порядке. Если в простом диоде при повышении напряжения, ток увеличивается монотонно, то в туннельном диоде туннелирование электронов в вольтамперной характеристике выстраивает горб.

Это способствует сильному снижению пробоя p и n областей и уменьшает возможность пробоя почти до нуля. Все это происходит благодаря туннельному эффекту. За такое изобретение японский физик Лео Эсаки (совместно с Айвором Джайевером) получил престижную премию в 1973 году. Ответ: Эсаки.